realme GT2 Explorer Master Edition (真我GT2大师探索版) が中国にて発表されました。
世界初となるLPDDR5Xメモリを搭載
realme GT2 Explorer Master EditionにはLPDDR5xメモリとUFS 3.1ストレージが搭載されています。
世界で初めて搭載されるLPDDR5xメモリは従来よりも消費電力が下がりつつもより高速化しており、ゲームプレイ時などのバッテリー消費を抑えられます。
8+ Gen 1を強力な冷却機構で冷やす
realme GT2 Explorer Master EditionはSnapdragon 8+ Gen 1を搭載しています。
4811m㎡のデュアルベイパーチャンバーを採用しており、SoCを両面から挟み込むようにして強力に放熱してくれます。
8+ Gen 1は8 Gen 1よりも効率が良くなっており、強力な冷却機構との組み合わせで高いパフォーマンスを発揮してくれそうです。
最大4倍のフレーム補間ができるX7チップ搭載
realme GT Neo 3では原神などを最大90FPSにフレーム補間できるMEMCチップが搭載されていましたが、realme GT2 Explorer Master Editionではさらに進化したPixelworks X7を搭載。
なんと最大で30FPSのゲームを120FPSにまでフレーム補間できるようになり、60FPS設定時と120FPSフレーム補間時の消費電力が同程度になるほどだそうです。
ただし対応ゲームは今のところ原神、航海王热血航线、和平精英の3つに限られているようです。
ベゼルレスなフラットディスプレイ
realme GT2 Explorer Master Editionは4辺のベゼルがかなり狭く、画面占有率は94.2%へと向上しています。
6.7インチのAMOLEDディスプレイを搭載しています。
通常360Hz、最大で1000Hzのタッチサンプリングレートに対応していますが、1000HzはQQ飞车、英雄联盟、王者荣耀、和平精英のゲームでしか使えないそうです。
BOE製ですが、業界トップレベルのSamsung製と同じダイヤモンドピクセル配列で文字のにじみが少なく、美しいディスプレイに仕上がっているそうです。
感圧式ショルダーボタンも搭載
感圧式のショルダーボタンを側面に搭載しており、ゲーミングスマホさながらの素早い操作ができます。
ショルダーボタンがあるように見えないようにデザインされているため、ゴテゴテしてダサいことが多いゲーミングスマホと違って全体的なデザインを損ねずにショルダーボタンを使えます。
5000mAhバッテリー、100W充電対応
充電器でよく聞くようになった「GaN・窒化ガリウム」ですが、なんとrealme GT2 Explorer Master Editionは内蔵バッテリーにGaN技術を採用。
5000mAhという大容量バッテリーと、100W急速充電を両立しています。
25分で満充電できるそうです。
5000mAhバッテリー搭載ながらも重さは195gと200g切りです。
厚みも8.17mmで厚くありません。
背面は硬箱·旷野カラーの場合はリサイクルレザー素材です。
IMX766カメラをさらにソフトウェアチューニング
realme GT2 Explorer Master Editionは50MP SONY IMX766をメインカメラとしています。
OIS 光学式手ぶれ補正対応で、ソフトウェアのチューニングにより撮影速度や手ぶれ補正、低照度撮影などを強化しているそうです。
長時間露光にも対応しています。
realme GT2 Explorer Master Editionは8+128GB版が3499元 (約7.1万円) ～で販売されています。
realmeとしては少し高めではあるものの、Snapdragon 8+ Gen 1や世界初のLPDDR5xメモリ、Pixelworks X7搭載であることを考えるとハイエンドスマホとしては格安な部類です。
グローバル版の発表に期待です。
